TransEON Inc.
Mise à l’échelle commerciale de procédés canadiens de fonderie RF GaN MOS
Projet
Les utilisateurs de matériel radiofréquence (RF) ont besoin de puces semiconductrices plus performantes. Les technologies commerciales actuelles de circuits intégrés au nitrure de gallium (GaN) ne peuvent répondre pleinement aux nouvelles exigences en matière de puissance, de fréquence, d’intégration et de différenciation.
Alors que la demande d’électronique RF s’accroît dans les domaines de la 6G, des communications par satellite, de la défense et des radars à réseau à commande de phase, TransEON Inc., établie à Edmonton, fera passer sa plateforme de fonderie GaN MOS du NMT 6 au NMT 8. Le projet élargira l’accès commercial à la fabrication de transistors au GaN et de circuits intégrés monolithiques hyperfréquences (MMIC) au moyen de séries de plaquettes multiprojets.
TransEON affinera la fabrication et la caractérisation des plaquettes afin d’améliorer le rendement et la maîtrise des procédés, tout en enrichissant sa trousse de conception de procédés (PDK) au moyen de modèles améliorés de transistors et de composants passifs, d’une vérification automatisée des règles de conception et de la prise en charge de flux de travaux de CAO supplémentaires. L’entreprise prévoit également un accès régulier aux séries de plaquettes multiprojets (MPW) ainsi qu’une bibliothèque en libre accès de blocs de propriété intellectuelle RF modulaires éprouvés.
Développée principalement au nanoFAB de l’Université de l’Alberta, à Edmonton, la plateforme réunira des dispositifs GaN MOS, des composants passifs intégrés, des procédés de fin de chaîne de fabrication ainsi qu’une intégration hétérogène 2.5D au moyen d’interposeurs RF. CEMWorks Inc. apportera un soutien en coconception électromagnétique pour les nœuds mis à l’échelle et la conception des interposeurs RF.
Les travaux techniques comprennent la mise au point de procédés supplémentaires destinés aux applications en ondes millimétriques élevées ainsi que le perfectionnement du procédé d’interposeur RF en vue de son intégration future à la PDK et de son accès commercial par MPW, à l’appui d’une multitude d’applications émergentes, dont les futures liaisons 6G et intersatellitaires.
Renforcer les capacités canadiennes
Les avancées réalisées sur la plateforme de TransEON renforceront la capacité canadienne limitée de fabrication de MMIC RF, au bénéfice de la défense, du secteur spatial, des télécommunications et d’autres secteurs tributaires de composants importés. Une plateforme canadienne de fonderie GaN élargira l’accès aux composants semi-conducteurs RF tout en soutenant la conception, le prototypage et la fabrication au pays.
Un accès régulier aux MPW, des outils de conception et des blocs de propriété intellectuelle réutilisables réduiront les obstacles pour les PME, les entreprises en démarrage, les équipes postsecondaires et les concepteurs RF spécialisés. TransEON prévoit également accroître sa capacité, développer des procédés canadiens de seconde source et étoffer son effectif par l’embauche et la formation en régime coopératif.
« FABrIC marque un tournant pour l’industrie canadienne des semi-conducteurs. Le financement accordé dans le cadre de ce projet contribuera à l’atteinte de jalons essentiels à la commercialisation de la technologie RF au GaN, ce qui permettra de développer des capacités souveraines pour une multitude d’applications à mission critique. »
—Vallen Rezazadeh, chef de la direction, TransEON Inc.
TransEON Inc.
TransEON est une entreprise en démarrage établie à Edmonton qui exploite une fonderie de microélectronique de nouvelle génération entièrement consacrée au nitrure de gallium (GaN), pour des applications RF, à haute température et de puissance. Nos puces, fabriquées entièrement au Canada, soutiennent de nombreuses applications à mission critique dans les secteurs de la défense, du spatial et des télécommunications. À cette fin, notre entreprise offre des capacités de production GaN de bout en bout, incluant la fabrication, l’encapsulation, la mise à l’essai et l’analyse des défaillances, ce qui permet la fabrication en guichet unique de modules GaN destinés au matériel de ses clients. S’appuyant sur une technologie GaN de pointe, nos procédés de fabrication offrent des densités de puissance RF jusqu’à trois fois supérieures à celles des fonderies concurrentes, assurant une meilleure linéarité, une efficacité accrue et une plus grande largeur de bande sur l’ensemble du spectre RF.
Indicateurs du projet
TransEON Inc.
Projet
Mise à l’échelle commerciale de procédés canadiens de fonderie RF GaN MOS
Industrie(s) ciblée(s)
Fabrication de pointe, Défense et double usage, Technologies numériques
Fabrication de pointe; technologies numériques; véhicules électrifiés et connectés; défense et sécurité.
Type
Développement des processus
Attribué
septembre 2026
Lieu
Edmonton
AB
Financement
625 137$
