Dans ce projet, nous allons révolutionner la fabrication de dispositifs semi-conducteurs III-V, plaçant le Canada à l’avant-garde de la prochaine ère des communications numériques et de l’électronique grand public. Actuellement, des matériaux III-V de haute qualité doivent être cultivés sur des substrats petits et coûteux comme le GaN, le saphir et le SiC, ce qui peut entraîner des défis pour intégrer les dispositifs fabriqués dans les lignes de fabrication conventionnelles. Nous éliminerons le besoin de ces wafers et processus de fabrication coûteux, simplifiant non seulement la fabrication mais aussi accélérant l’adoption des dispositifs III-V dans des industries telles que les écrans, la photonique au silicium et les technologies propres, grâce à notre plateforme de substrat OmniChip brevetée incorporant des couches de délamination de nouvelle génération et à faible contrainte.